英特爾攜聯電強攻12奈米 預計2027年投產

英特爾攜聯電強攻12奈米 預計2027年投產
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英特爾晚間宣佈,將與聯電共同開發12奈米制程平臺技術。 路透

英特爾昨(25)日晚間宣佈,將與聯電(2303)共同開發12奈米制程平臺技術,並利用英特爾位於美國的晶圓廠產能生產,雙方也將共享合作所獲得的現金,預計2027年投產。

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這是英特爾首度與臺灣晶圓代工業者合作開發製程。英特爾正積極跨足晶圓代工事業,此次與聯電合作,不僅開啓臺美晶圓代工業新里程碑,也啓動全球晶圓代工業新競合關係。

英特爾與聯電都未透露合作雙方預計投入的金額。外界關注此次與英特爾合作的成本與效益,聯電錶示,雙方合作的技術要等到2027年纔會投入生產,屆時纔會開始貢獻營收,因此投入金額無法透露,是兩邊共同負擔。至於是否再往先進製程的方向前進,聯電則說,不迴應太遠的事情,基本上公司以財務指標可以負擔爲主。

聯電昨天台灣普通股勁揚1.7元、收當日最高價52.3元。與英特爾合作開發12奈米制程平臺消息傳出後,聯電週四ADR早盤漲約1.6%,英特爾早盤漲約0.7%。

英特爾指出,與聯電合作開發12奈米制程平臺,主要用來因應行動、通訊基礎建設和網路等市場的快速成長。這項長期合作結合英特爾位於美國的大規模製造產能,和聯電在成熟製程上豐富的晶圓代工經驗,以擴充製程組合,同時提供更佳的區域多元且具韌性的供應鏈,協助全球客戶做出更好的採購決策。

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英特爾指出,雙方合作的新制程將在英特爾位於美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32廠進行開發和製造,可透過運用晶圓廠的現有設備大幅降低前期投資,並最佳化利用率。

英特爾資深副總裁暨晶圓代工服務(IFS)總經理Stuart Pann表示,幾十年來臺灣一直是亞洲和全球半導體及廣泛生態系的重要成員,英特爾致力於與聯電這樣的臺灣創新企業合作,爲全球客戶提供更好的服務。

英特爾強調,與聯電的策略合作,進一步展現英特爾爲全球半導體供應鏈提供技術和製造創新的承諾,也是實現英特爾在2030年成爲全球第二大晶圓代工廠的重要一步。

聯電共同總經理王石表示,聯電與英特爾進行在美國製造的12奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程合作,是該公司追求具成本效益的產能擴張,和技術節點升級策略的重要一環。

聯電預期,這項合作將協助客戶順利升級到此關鍵技術節點,同時受惠於擴展位於北美市場產能帶來的供應鏈韌性。聯電期待與英特爾展開策略合作,利用雙方的互補優勢,以擴大潛在市場,同時大幅加快技術發展時程。

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