ASML超驚嚇?俄羅斯7奈米驚人突破 泄國產EUV曝光時間

ASML超驚嚇?俄羅斯7奈米驚人突破 泄國產EUV曝光時間

俄羅斯稱開發出替代曝光機的工具。(示意圖/達志影像/shutterstock)

俄羅斯企圖打破艾司摩爾(ASML)先進半導體設備獨佔地位!俄媒消息指出,俄羅斯號稱開發出可取代曝光機的晶片製造工具,甚至發下豪語,將於2028年研發出可生產7奈米晶片的曝光機,還可擊敗ASML同類產品。俄國目前普遍使用20年前的65奈米制程,正在興建28奈米晶圓廠。

俄羅斯國際新聞通訊社(俄新社)報導,聖彼得堡理工大學研發出一種「國產曝光復合體」,可用於蝕刻生產無掩模晶片,將有助於解決俄羅斯在微電子領域的技術主權問題。

科學家表示,這款晶片製造設備成本爲500萬盧布(約臺幣161萬元),而另一種工具的成本未知。

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研究人員指出,相較於傳統曝光技術需要專門掩膜板來獲取影像,這款裝置更爲經濟、便利,透過專業軟體控制,實現完全自動化。該發明是「各種微電子裝置運行」所需的「奈米結構」工藝分兩階段進行,首先使用基礎掩模曝光機,然後利用矽等離子化學蝕刻機。

而另一款設備可直接形成奈米結構或製作矽膜,如用於艦載超壓感測器。

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俄羅斯目前使用最普遍的技術是20年前的65奈米制程,但現在正積極興建28製程晶圓廠。

Tom’s Hardware此前報導,俄羅斯大諾夫哥羅德策略發展機構(Novgorod Strategy Development)宣稱2028年將開發出可生產7奈米晶片的曝光機,並擊敗ASML同類產品,即ASML Twinscan NXT:2000i DUV。

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俄羅斯科學院奈米結構研究所副所長Nikolai Chkhalo表示,近20年來ASML致力於發展EUV(極紫外光)曝光機,目標是讓頂尖半導體廠商保持極高的生產效率,但俄羅斯並不需要,只要根據國內的需求向前推進即可。

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